报告题目：III族氮化物材料与光电子器件

报告人：刘斌南京大学电子科学与工程学院

时间：12月15日（周三）下午2:00-4:00

地点：比较靠谱的赌博大平台九龙湖校区田家炳楼203   

报告摘要：基于III族氮化物材料发展的固态照明与半导体显示技术，节能效应显著。为了进一步提高氮化物材料质量，提升器件的发光效率，我们发展了微纳加工图形化衬底技术，采用金属有机源化学汽相沉积(MOCVD)二次横向外延生长氮化物材料，研究了微纳尺寸下氮化物横向外延生长和位错抑制机理。我们生长获得了高质量非/半极性面InGaN/GaN量子阱结构，实现黄橙光发光二极管(LED)器件，Droop效应得到明显抑制。我们采用紫外软纳米压印和刻蚀技术，制备出晶圆面积的有序III族氮化物纳米结构，利用偶极子耦合增强物理效应，实现了III族氮化物/II-VI族量子点混合结构LED，发展了提升LED内量子效率和光提取效率的新方法。我们制备出量子点集成的Micro-LED阵列，获得高色转换效率(CCE)的RGB micro-LED器件，半极性面(11-22)的Micro-LED阵列。上述新结构、新器件在高品质照明、高分辨显示、可见光通讯等领域具有应用价值。

报告人简历：刘斌，南京大学电子科学与工程学院教授、博导、副经理，长期在江苏省光电信息重点实验室、半导体节能器件及材料国家地方联合工程中心展开III族氮化物半导体材料与器件，半导体显示技术研究，并兼任重点实验室/工程中心副主任，担任我国多个半导体显示Micro-LED技术专委会委员；主持/完成国家重点研发计划项目与国家自然科学基金等项目20余项，与华为、天马微电子等龙头企业开展产学研合作；已发表SCI学术论文180余篇，申请/授权发明专利60余项，曾获霍英东教育基金会青年基金，教育部自然科学一等奖、技术发明一等奖，获国家优秀青年基金资助(2015)，入选教育部青年长江学者(2016)、长江学者特聘教授(2021)。