讲座题目：“后摩尔材料与器件：二维电子学”

讲座嘉宾：王欣然（南京大学电子科学与工程学院副经理）

讲座时间：12月19日 18:30-20:00

讲座地点：纪忠楼报告厅

邀请人：倪振华欢迎大家参加！

摘要：

随着硅基晶体管的尺寸逐渐接近物理极限，集成电路面临着基本物理原理和高功耗等挑战。二维半导体材料具有超薄极限沟道厚度、高迁移率、能带可调控等特点，可以在5nm工艺节点以下有效抑制短沟道效应，有望给“后摩尔时代”微电子器件带来新的技术变革。本报告将围绕高性能、低功耗逻辑器件与集成电路这个目标，探讨二维材料选择、迁移率、接触电阻、介电层、负电容效应、材料合成、集成工艺等关键科学问题与相关最新进展。

嘉宾介绍：

王欣然，南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师、副经理。2004年本科毕业于南京大学物理系，2010年获得斯坦福大学物理学博士学位，2010-2011年在斯坦福大学和伊利诺伊大学做博士后研究。主要从事低维材料与信息器件研究，共发表SCI论文80余篇，包括20篇Science、Nature及子刊，论文总引用超过17000次。2014年获得国家杰出青年科学基金，2015年入选长江学者特聘教授，2016年获得中国青年五四奖章、中国青年科技奖，2017年获得国家自然科学二等奖（3/5）、中国物理学会黄昆物理奖，2019年入选万人计划领军人才。作为负责人承担973A类项目课题，国家自然科学基金重点项目、重大科研仪器研制项目等。目前担任npj 2D Materials and Applications国际学术期刊副主编，Nano Research、半导体学报、中国科学：信息科学等期刊编委。