10月29日学术报告:5d铱氧化物中电子结构的原子精度设计与调控

发布者:系统管理员发布时间:2018-10-18浏览次数:253

报告题目:5d铱氧化物中电子结构的原子精度设计与调控

报告人: 聂越峰  教授(南京大学工学院)

时间:  1029日(周一),上午10:00

地点:   田家炳楼南203

邀请人:董帅。

欢迎参加!

 

自旋轨道耦合与电子关联作用在5d轨道电子中具有相同的能量量级且二者的共存与竞争有望形成极为丰富而新颖的量子现象,从而吸引了人们广泛的关注。特别地,在层状铱氧化物(Srn+1IrnO3n+1)中观测到与铜基高温超导体相似的多个物理现象,包括层状晶体结构、1/2自旋、反铁磁Mott绝缘基态、费米弧与V型能隙等。然而,到目前为止,仍未能在实验中观测到零电阻及迈斯纳效应等超导的直接证据,而其中一个可能的原因是其晶体结构存在较大的氧八面体扭转及IrO2面内的净磁矩。本报告介绍通过氧化物分子束外延(MBE)、原位角分辨光电子谱(ARPES)及第一性原理计算实现铱氧化物原子精度的薄膜材料制备与能带结构的设计与调控。通过单晶衬底提供的界面束缚效应,在SrIrO3超薄膜中成功消除了氧八面体扭转并获得了无净磁矩的理想反铁磁绝缘基态,为进一步探索5d轨道电子中的新型高温超导态打下了基础。

 

报告人简介:

聂越峰,南京大学教授、博士生导师。2011年毕业于康涅狄格大学物理系,获得物理学博士学位;2011-2014在康奈尔大学材料研究中心从事博士后研究;主要研究方向为复杂氧化物薄膜与界面的新颖关联量子现象。通过氧化物分子束外延(MBE)方法制备单原子层精度可控的复杂氧化物薄膜与异质结构,并应用原位角分辨光电子谱(ARPES)研究其电子结构与新颖关联量子现象。目前已在Nature及其子刊、Phys. Rev. Lett.等重要学术期刊发表论文30余篇。